https://www.museo8bits.com/wiki/index.php?title=SRAM&feed=atom&action=historySRAM - Historial de revisiones2024-03-29T10:21:26ZHistorial de revisiones de esta página en la wikiMediaWiki 1.41.0https://www.museo8bits.com/wiki/index.php?title=SRAM&diff=5941&oldid=prevMuseo8bits: 1 revisión importada2021-10-16T16:16:05Z<p>1 revisión importada</p>
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</tr><tr><td colspan="2" class="diff-notice" lang="es"><div class="mw-diff-empty">(Sin diferencias)</div>
</td></tr></table>Museo8bitshttps://www.museo8bits.com/wiki/index.php?title=SRAM&diff=5940&oldid=prevMuseo8bits en 17:54 3 jun 20172017-06-03T17:54:55Z<p></p>
<p><b>Página nueva</b></p><div>'''SRAM''' son las siglas de la voz inglesa '''''S'''tatic '''R'''andom '''A'''ccess '''M'''emory'', que significa '''memoria estática de [[acceso aleatorio]]''' (o [[memoria de acceso aleatorio|RAM]] estática), para denominar a un tipo de tecnología de memoria RAM basada en semiconductores, capaz de mantener los datos, mientras siga alimentada, ''sin necesidad de circuito de refresco''. Este concepto surge en oposición al de memoria [[DRAM]] (RAM dinámica), con la que se denomina al tipo de tecnología RAM basada en condensadores, que sí necesita refresco dinámico de sus cargas.<br />
<br />
Existen dos tipos: '''volátiles''' y '''no volátiles''', cuya diferencia estriba en si los datos permanecen o se volatilizan en ausencia de alimentación eléctrica.<br />
<br />
== Diseño ==<br />
[[Archivo:SRAM Cell (6 Transistors).svg|thumb|Una [[celda de memoria]] SRAM usando seis transistores [[MOSFET|MOS]]]]<br />
[[File:SRAM Cell Inverter Loop.png|thumb|Celda de memoria SRAM con los transistores centrales representados como un [[Realimentación#Lazo abierto y cerrado|lazo cerrado]] usando [[Puerta NOT|inversores]]]]<br />
Estas memorias son de [[acceso aleatorio]], lo que significa que las [[celda de memoria|posiciones en la memoria]] pueden ser escritas o leídas en cualquier orden, independientemente de cual fuera la última posición de memoria accedida.<br />
Cada [[bit]] en una SRAM se almacena en cuatro [[transistor]]es, que forman un [[biestable]]. Este circuito biestable tiene dos estados estables, utilizados para almacenar (representar) un '''0''' o un '''1'''. Se utilizan otros dos [[transistor]]es adicionales para controlar el acceso al biestable durante las operaciones de lectura y escritura.<br />
Una SRAM típica utilizará seis [[MOSFET]] para almacenar cada bit. Adicionalmente, se puede encontrar otros tipos de SRAM, que utilizan ocho, diez, o más transistores por bit.<ref>[http://ieeexplore.ieee.org/Xplore/login.jsp?url=/iel5/4/4317684/04317699.pdf?arnumber=4317699 A 160 mV Robust Schmitt Trigger Based Subthreshold SRAM]</ref><ref>United States Patent 6975532: [http://www.freepatentsonline.com/6975532.html Quasi-static random access memory]</ref><ref>{{cita web<br />
|url=http://ietele.oxfordjournals.org/cgi/content/abstract/E90-C/10/1949<br />
|título=Area Optimization in 6T and 8T SRAM Cells Considering Vth Variation in Future Processes - MORITA et al. E90-C (10): 1949 - IEICE Transactions on Electronics <!--Generado por Muro Bot. Puedes ayudar a rellenar esta plantilla--><br />
|añoacceso=2009<br />
|autor=<br />
|enlaceautor=<br />
|idioma=<br />
}}</ref> Esto es utilizado para implementar más de un puerto de lectura o escritura en determinados tipos de [[VRAM|memoria de video]]. <br />
<br />
Un menor número de transistores por celda, hará posible reducir el tamaño de esta, reduciendo el coste por bit en la fabricación, al poder implementar más celdas en una misma oblea de silicio.<br />
<br />
Es posible fabricar celdas que utilicen menos de seis transistores, pero en los casos de tres transistores<ref>United States Patent 6975531: [http://www.freepatentsonline.com/6975531.html 6F2 3-transistor DRAM gain cell]</ref><ref>[http://www.tezzaron.com/technology/3T-iRAM.htm 3T-iRAM(r) Technology]</ref> o uno solo se estaría hablando de memoria [[DRAM]], no SRAM.<br />
<br />
El acceso a la celda es controlado por un bus de control (WL en la figura), que controla los dos transistores de ''acceso'' M<sub>5</sub> y M<sub>6</sub>, quienes controlan si la celda debe ser conectada a los buses <span style="text-decoration: overline;">BL</span> y BL. Ambos son utilizados para transmitir datos tanto para las operaciones de lectura como las de escritura, y aunque no es estrictamente necesario disponer de ambos buses, se suelen implementar para mejorar los [[márgenes de ruido]].<br />
<br />
A diferencia de la [[DRAM]], en la cual la señal de la línea de salida se conecta a un capacitador, y este es el que hace oscilar la señal durante las operaciones de lectura, en las celdas SRAM son los propios biestables los que hacen oscilar dicha señal, mientras que la estructura simétrica permite detectar pequeñas variaciones de voltaje con mayor precisión. Otra ventaja de las memorias SRAM frente a DRAM, es que aceptan recibir todos los bits de dirección al mismo tiempo.<br />
<br />
El tamaño de una memoria SRAM con ''m'' líneas de dirección, y ''n'' líneas de datos es 2<sup>''m''</sup> palabras, o 2<sup>''m''</sup> × ''n'' bits.<br />
<br />
== Modos de operación de una SRAM ==<br />
<br />
Una memoria SRAM tiene tres estados distintos de operación: ''standby'', en el cual el circuito está en reposo, ''reading'' o en fase de lectura, durante el cual los datos son leídos desde la memoria, y ''writing'' o en fase de escritura, durante el cual se actualizan los datos almacenados en la memoria.<br />
<br />
=== Reposo ===<br />
Si el bus de control (WL) no está activado, los transistores de ''acceso'' M<sub>5</sub> y M<sub>6</sub> desconectan la celda de los buses de datos. Los dos biestables formados por M<sub>1</sub> – M<sub>4</sub> mantendrán los datos almacenados, en tanto dure la alimentación eléctrica.<br />
<br />
=== Lectura ===<br />
Se asume que el contenido de la memoria es '''1''', y está almacenado en Q. El ciclo de lectura comienza cargando los buses de datos con el '''1''' lógico, y luego activa WL y los transistores de control. A continuación, los valores almacenados en Q y <span style="text-decoration: overline;">Q</span> se transfieren a los buses de datos, dejando BL en su valor previo, y ajustando <span style="text-decoration: overline;">BL</span> a través de M<sub>1</sub> y M<sub>5</sub> al '''0''' lógico. En el caso que el dato contenido en la memoria fuera '''0''', se produce el efecto contrario: <span style="text-decoration: overline;">BL</span> será ajustado a '''1''' y BL a '''0'''.<br />
<br />
=== Escritura ===<br />
<br />
El ciclo de escritura se inicia aplicando el valor a escribir en el bus de datos. Si se trata de escribir un '''0''', se ajusta, almacena, se activa el bus WL, y el dato queda almacenado.<br />
<br />
== Aplicaciones y usos ==<br />
=== Características ===<br />
La memoria SRAM es más cara, pero más rápida y con un menor consumo (especialmente en reposo) que la memoria [[DRAM]]. Es utilizada, por tanto, cuando es necesario disponer de un menor tiempo de acceso, o un consumo reducido, o ambos. Debido a su compleja estructura interna, es menos ''densa'' que DRAM, y por lo tanto no es utilizada cuando es necesaria una alta capacidad de datos, como por ejemplo en la memoria principal de los computadores personales.<br />
<br />
==== Frecuencia de reloj y potencia ====<br />
El consumo eléctrico de una SRAM varía dependiendo de la frecuencia con la cual se accede a la misma: puede llegar a tener un consumo similar a la DRAM cuando es usada en alta frecuencia, y algunos [[circuitos integrados]] pueden consumir varios [[vatios]] durante su funcionamiento. Por otra parte, las SRAM utilizadas con frecuencia baja, tienen un consumo bastante menor, del orden de micro-vatios.<br />
<br />
=== Usos de las SRAM ===<br />
* Como producto de propósito general:<br />
** Con interfaces ''asíncronas'' como chips 32Kx8 de 28 pines (nombrados XXC256), y productos similares que ofrecen transferencias de hasta 16Mbit por chip.<br />
** Con interfaces ''síncronas'', principalmente como caches y otras aplicaciones que requieran transferencias rápidas, de hasta 18Mbit por chip. <br />
* Integrados en chip:<br />
** Como memoria RAM o de cache en micro-controladores.<br />
** Como cache primaria en microcontroladores, como por ejemplo la familia ''x86''. <br />
** Para almacenar los registros de microprocesadores.<br />
** En circuitos integrados. <br />
** En [[FPGA]]s y [[CPLD]]s.<br />
<br />
=== Usos integrados en productos ===<br />
Las SRAM se utilizan en sistemas científicos e industriales, electrónica del automóvil, y similares. También se pueden encontrar en prácticamente todos los productos de uso cotidiano que implementen una interfaz electrónica de usuario.<br />
<br />
También se puede encontrar memorias SRAM en los computadores personales, estaciones de trabajo, routers y la gran mayoría de [[periféricos]].<br />
<br />
=== Uso de aficionados ===<br />
Los aficionados a la electrónica prefieren las memorias SRAM debido a su sencilla interfaz, ya que es mucho más fácil trabajar con SRAM que con [[DRAM]], al no existir ciclos de ''refresco'', y poder acceder directamente a los buses de dirección y de datos en lugar de tener que utilizar multiplexores. Además, las SRAM solo necesitan tres buses de control: Chip Enable (CE), Write Enable (WE), y Output Enable (OE). En el caso de las SRAM síncronas, se tiene además la señal de reloj (CLK)<br />
<br />
== Tipos de SRAM ==<br />
=== SRAM no volátiles ===<br />
Las memorias SRAM ''no'' volátiles ([[NVRAM]]) presentan el funcionamiento típico de las RAM, pero con la característica distintiva de que los datos almacenados en ellas son preservados aun cuando se interrumpe la alimentación eléctrica. Se utilizan en situaciones donde se requiere conservar la información almacenada sin necesidad de alimentación alguna, normalmente donde se desea evitar el uso de baterías (o bien no es posible).<ref>[http://www.cypress.com/products/?gid=5&fid=25&GoGatewayCategoryID=All& Non Volatile SRAM]</ref><br />
<br />
=== SRAM asíncrona ===<br />
Las SRAM asíncronas están disponibles en tamaños desde 4Kb hasta 32Mb.<ref>[http://www.cypress.com/products/?gid=5&fid=36&rpn=0&rpp=&sort=&paginate=&category=All&showall=false Asynchronous SRAM]</ref> Con un tiempo reducido de acceso, son adecuadas para el uso en equipos de comunicaciones, como switches, routers, teléfonos IP, tarjetas DSLAM, y en electrónica de automoción.<br />
<br />
=== Por tipo de transistor ===<br />
* [[Transistor de unión bipolar]] o BJT (de tipo [[Tecnología TTL|TTL]] o [[ECL]]) — muy rápidos, pero con un consumo muy alto.<br />
* [[MOSFET]] (de tipo [[CMOS]]) — consumo reducido, los más utilizados actualmente.<br />
<br />
=== Por función ===<br />
* Asíncronas — independientes de la frecuencia de reloj.<br />
* Síncronas — todas las operaciones son controladas por el reloj del sistema.<br />
<br />
== Referencias ==<br />
{{listaref}}<br />
<br />
<br />
{{Wp}}<br />
[[Categoría:Memorias]]<br />
[[Categoría:Acrónimos de informática|SRAM]]<br />
<br />
[[en:Static random access memory]]<br />
[[es:SRAM]]<br />
[[fi:SRAM]]<br />
[[fr:Static Random Access Memory]]<br />
[[hr:SRAM]]<br />
[[id:Static Random Access Memory]]<br />
[[it:SRAM]]<br />
[[ja:Static Random Access Memory]]<br />
[[ko:에스램]]<br />
[[no:Static Random Access Memory]]<br />
[[pl:SRAM (pamięci komputerowe)]]<br />
[[pt:SRAM]]<br />
[[sk:SRAM]]<br />
[[sv:SRAM]]<br />
[[tr:SRAM]]<br />
[[vi:RAM tĩnh]]<br />
[[zh:SRAM]]</div>Museo8bits